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[article] | Titre : |
Niveaux de défauts dans la pseudo-bande inédite du triseleniure d'arsenic amorphe |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
M. SARR, Auteur ; M. KANE, Auteur |
| Année de publication : |
2001 |
| Article en page(s) : |
p. 151-156 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
matériaux amorphe méthode de photocourant constant pseudo-bande interdite défauts corrélés niveaux discrets |
| Résumé : |
Des mesures de photoconductivité spectrale et en fonction de la température ont été effectuées sur des échantillons de tri-séléniure d'arsenic amorphe ( a-As2Se3) obtenus par refroidissement du matériau cristallin à partir de la température de transition (Tg) des éléments fondus. Le modèle de configuration des défauts corrélés, chargés (D+,D-), a été décrit et appliqué en vue d'interpréter les deux types de mesures. On a pu ainsi dégager des paramètres physiques importants pour l'étude des états localisés de ce type de semiconducteur amorphe à base de chalcogéniure à savoir entres autres, les énergies d'activation des recombinaisons monomoléculaire (DEm) et bimoléculaire (DEb), l'énergie de corrélation effective (Ueff), la localisation, par rapport aux seuils de bandes, des principaux niveaux de défauts et les énergies de déformation polaronique dans la pseudo-bande interdite |
| Note de contenu : |
Introduction
1 - Mesures de photoconductivité
2 - Description du modèle des défauts chargés
3 - Analyse des résultats et discussions
Conclusion
Références bibliographiques |
| Permalink : |
./index.php?lvl=notice_display&id=3316 |
in Journal de la recherche scientifique de l'Université du Bénin > Tome 5, vol 1 [31/12/2001] . - p. 151-156
[article] Niveaux de défauts dans la pseudo-bande inédite du triseleniure d'arsenic amorphe [texte imprimé] / M. SARR, Auteur ; M. KANE, Auteur . - 2001 . - p. 151-156. Langues : Français ( fre) in Journal de la recherche scientifique de l'Université du Bénin > Tome 5, vol 1 [31/12/2001] . - p. 151-156 | Mots-clés : |
matériaux amorphe méthode de photocourant constant pseudo-bande interdite défauts corrélés niveaux discrets |
| Résumé : |
Des mesures de photoconductivité spectrale et en fonction de la température ont été effectuées sur des échantillons de tri-séléniure d'arsenic amorphe ( a-As2Se3) obtenus par refroidissement du matériau cristallin à partir de la température de transition (Tg) des éléments fondus. Le modèle de configuration des défauts corrélés, chargés (D+,D-), a été décrit et appliqué en vue d'interpréter les deux types de mesures. On a pu ainsi dégager des paramètres physiques importants pour l'étude des états localisés de ce type de semiconducteur amorphe à base de chalcogéniure à savoir entres autres, les énergies d'activation des recombinaisons monomoléculaire (DEm) et bimoléculaire (DEb), l'énergie de corrélation effective (Ueff), la localisation, par rapport aux seuils de bandes, des principaux niveaux de défauts et les énergies de déformation polaronique dans la pseudo-bande interdite |
| Note de contenu : |
Introduction
1 - Mesures de photoconductivité
2 - Description du modèle des défauts chargés
3 - Analyse des résultats et discussions
Conclusion
Références bibliographiques |
| Permalink : |
./index.php?lvl=notice_display&id=3316 |
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